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Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器,具体是怎么样的呢?有哪些特点?

     Ⅰ类陶瓷电容器根据美国标准EIA-198-D,在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分:一部分为(例如字母C)温度系数α的有效数字;第二位部分有效数字的倍乘(如0即为100);第三部分为随温度变化的容差(以ppm/℃表示)。

      例如,C0G(有时也称为NP0)表示为:前面的字母C为温度系数的有效数字为0,第二位数字0为有效温度系数的倍乘为100=1,第三位字母G为随温度变化的容差为±30ppm/℃,即0±30ppm/℃,Ⅰ类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化。

      陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器,具体是怎么样的呢?有哪些特点?适用于哪些范围呢?东莞市纳仕特电子科技有限公司来给大家介绍一下。

       1、Ⅰ类陶瓷电容器:过去称高频陶瓷电容器,是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器,特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,片状陶瓷电容,或用于温度补偿;

       2、Ⅱ类陶瓷电容器:过去称为为低频陶瓷电容器,指用铁电陶瓷作介质的电容器,因此也称铁电陶瓷电容器,图片状陶瓷电容,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。

       东莞市纳仕特电子科技有限公司将不断强化内部管理,单层陶瓷电容,建立现代化企业制度,以科技为先导,继续努力向各界推出新产品,竭诚为客户提供满意的产品与服务,致力于塑造公司整体形象的良好声誉。

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